发明名称 3400纳米带通红外滤光片
摘要 本实用新型公开了一种3400纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板、以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层,基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,主要是第一镀膜层包含了由内到外依次排列不同厚度的镀膜材料SiO层和Ge层,第二镀膜层包含了有内到外依次排列不同厚度的镀膜材料SiO层和Ge层。本实用新型得到的3400纳米带通红外滤光片,红外滤光片波长在3400nm时可对甲烷气体进行准确的测试,可测出准确的测试结果。该滤光片能实现中心波长定位为3400±1%纳米,峰值透过率达90%以上,截止区透过率小于0.1%,大大提高了信噪比。
申请公布号 CN202275174U 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN201220091002.2 申请日期 2012.03.12
申请人 杭州麦乐克电子科技有限公司 发明人 吕晶
分类号 G02B5/20(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B32B15/00(2006.01)I 主分类号 G02B5/20(2006.01)I
代理机构 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 代理人 唐迅
主权项 一种3400纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板(2)、以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层(1)和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层(3),基板(2)位于第一镀膜层(1)和第二镀膜层(3)之间,其特征是第一镀膜层(1)包含由内到外依次排列263nm厚度的SiO层、73nm厚度的Ge层、330nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、276nm厚度的SiO层、95nm厚度的Ge层、278nm厚度的SiO层、140nm厚度的Ge层、256nm厚度的SiO层、62nm厚度的Ge层、514nm厚度的SiO层、185nm厚度的Ge层、178nm厚度的SiO层、77nm厚度的Ge层、557nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、923nm厚度的SiO层、275nm厚度的Ge层、776nm厚度的SiO层、362nm厚度的Ge层、786nm厚度的SiO层、353nm厚度的Ge层、748nm厚度的SiO层、422nm厚度的Ge层、1067nm厚度的SiO层、466nm厚度的Ge层、1041nm厚度的SiO层、477nm厚度的Ge层、528nm厚度的SiO层;第二镀膜层(3)包含由内到外依次排列的928nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、464nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、928nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、464nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、464nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、943nm厚度的SiO层、195nm厚度的Ge层、854nm厚度的SiO层。
地址 310000 浙江省杭州市杭州市西湖高新园区(杭州麦乐克电子科技有限公司)