一种碳掺杂的二硼化镁超导带材制备方法

摘要

本发明涉及一种碳掺杂的二硼化镁超导带材制备方法，技术特征在于：a、在金属基带上沉积缓冲层薄膜；b、制作苹果酸掺杂的Mg(BH4)2胶体，并将该胶体涂覆在缓冲层薄膜上；c、放在保护气氛下加热到300～500℃，使苹果酸-Mg(BH)4分解成Mg(B1-xCx)2(x＝0.01-0.10)超导合金化合物；d、在c步获得的Mg(B1-xCx)2超导层表面覆盖具有良好导电、导热的金属作为保护层，即获得可实用的碳掺杂MgB2超导带材。与现有方法相比，本发明方法制备的MgB2超导带材临界电流密度、热稳定性以及柔韧性更好，且制作成本更低，适合工业化生产。

主权项

一种碳掺杂的二硼化镁超导带材制备方法，其特征在于步骤如下：步骤1；采用化学溶胶‑凝胶法在金属基带上沉积缓冲层薄膜；所述的缓冲层薄膜为Al2O3、MgO或SiC化合物的薄膜；步骤2：在缓冲层薄膜上涂覆苹果酸C4H6O5掺杂的Mg(BH4)2胶体；所述苹果酸C4H6O5与Mg(BH4)2的质量比为0.036∶1，采用化学溶胶‑凝胶法制备；步骤3：将步骤2处理的金属基带置于保护气氛下加热到300‑500℃，保温1‑3小时，使涂层分解生成Mg(B1‑xCx)2超导层，其中x＝0.01～0.10；所述的保护气氛为氩气；步骤4：在生成的Mg(B1‑xCx)2超导层表面上覆盖Ag作为稳定体和保护层，获得MgB2超导带材。