硅衬底GaN基LED结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种硅Si衬底氮化镓GaN基发光二极管LED结构及其制作方法，其结构主要包括：Si衬底，衬底表面为Si的非(111)系晶面；曝露于非(111)系晶面表面，与非(111)系晶面呈预设角度的Si的两个以上的(111)系晶面；生长于(111)系晶面的GaN基LED外延结构。本发明通过基于Si的加工特性好、导电且导热性好的优点，利用其作为衬底将GaN基LED外延结构生长于具有一定角度的衬底面上，使其具有更大的发光面积，根据衬底的倾斜角度不同具有界面，使得GaN基LED外延结构对出光的全反射效果受界面影响被减弱，可提升LED的出光效率以及获得更佳的白光均匀性，从而得到更佳的出光品质。

主权项

一种硅Si衬底氮化镓GaN基发光二极管LED结构，其特征在于，包括：Si衬底，衬底表面为Si的非(111)系晶面；曝露于所述非(111)系晶面表面，与所述非(111)系晶面呈预设角度的Si的两个以上的(111)系晶面；生长于所述(111)系晶面的GaN基LED外延结构。