发明名称 | 等离子产生方法、清洗方法以及衬底处理方法 | ||
摘要 | 本发明提供等离子产生方法、清洗方法以及衬底处理方法。一种环形等离子发生装置中的等离子发生方法,其中所述等离子发生装置包括:具有气体入口和气体出口并形成环形通路的气体通路、以及缠绕在所述气体通路的一部分上的线圈,所述等离子发生方法包括下述工序,即:向所述气体通路中提供含有至少5%的NF3的Ar气体和NF3气体的混合气体,并由高频电能驱动所述线圈,从而使等离子点火的工序,其中所述等离子点火工序是在6.65~66.5Pa的全压力下执行的。 | ||
申请公布号 | CN101333666B | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
申请号 | CN200810094770.1 | 申请日期 | 2004.06.25 |
申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 河南博;田村登;土桥和也 |
分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 柳春雷 |
主权项 | 一种处理容器内部的清洗方法,其特征在于,包括下述工序:等离子点火工序,向环形等离子发生装置供应含有第一浓度的清洗气体的清洗气体和稀释气体的混合气体,并在第二压力带下使等离子点火;浓度增大工序,在所述等离子点火工序之后,使清洗气体的浓度增大到高于第一浓度的第二浓度;压力增大工序,在所述等离子点火工序之后,使压力增大到高于第二压力带的第一压力带;以及清洗工序,在第一压力带下通过被等离子激励的清洗气体的自由基来对处理容器内部进行清洗,所述第一浓度为5%~45%,所述第二浓度为50%以上,所述第二压力带为6.65~66.5Pa,所述第一压力带为1330Pa以上,所述清洗气体为NF3,所述稀释气体为Ar。 | ||
地址 | 日本东京都 |