发明名称 |
一种电压比较器 |
摘要 |
本发明公开一种电压比较器,包括复合电路。复合电路包括第一、第二PMOS管,第一、第二NPN管,第一、第二电阻,第一、第二PMOS管的源极接电源,第一PMOS管的栅极和其漏极短接,第二PMOS管的栅极接第一PMOS管的栅极,构成电流镜,第一PMOS管的漏极接第一NPN管的集电极,第二PMOS管的漏极接第二NPN管的集电极,第一和第二NPN管的基极接采样电压,第二NPN管的发射极接第三电阻的正极,第一NPN管的发射极接第三电阻的负极,第四电阻的正极接第三电阻的负极,第四电阻的负极接地。把基准电压源和比较器合二为一,减少了电路中的器件数目,减小了静态功耗和动态功耗,缩小了集成电路芯片的有效面积。 |
申请公布号 |
CN101557215B |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN200810128137.X |
申请日期 |
2008.07.07 |
申请人 |
西安民展微电子有限公司 |
发明人 |
雷晗 |
分类号 |
H03K5/24(2006.01)I;G05F1/56(2006.01)I |
主分类号 |
H03K5/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
许静 |
主权项 |
一种电压比较器,其特征在于,包括内建基准电压源和比较器的复合电路,所述复合电路包括第一NPN型晶体管、第二NPN型晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管;所述第一NPN型晶体管的基极和所述第二NPN型晶体管的基极作为输入端接收采样电压,所述第一NPN型晶体管和所述第二NPN型晶体管的基极电压为基准电压;所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管构成电流镜,将所述采样电压与所述基准电压进行比较并输出比较电压。 |
地址 |
710075 陕西省西安市科技二路77号西安光电园A308室 |