发明名称 一种电压比较器
摘要 本发明公开一种电压比较器,包括复合电路。复合电路包括第一、第二PMOS管,第一、第二NPN管,第一、第二电阻,第一、第二PMOS管的源极接电源,第一PMOS管的栅极和其漏极短接,第二PMOS管的栅极接第一PMOS管的栅极,构成电流镜,第一PMOS管的漏极接第一NPN管的集电极,第二PMOS管的漏极接第二NPN管的集电极,第一和第二NPN管的基极接采样电压,第二NPN管的发射极接第三电阻的正极,第一NPN管的发射极接第三电阻的负极,第四电阻的正极接第三电阻的负极,第四电阻的负极接地。把基准电压源和比较器合二为一,减少了电路中的器件数目,减小了静态功耗和动态功耗,缩小了集成电路芯片的有效面积。
申请公布号 CN101557215B 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN200810128137.X 申请日期 2008.07.07
申请人 西安民展微电子有限公司 发明人 雷晗
分类号 H03K5/24(2006.01)I;G05F1/56(2006.01)I 主分类号 H03K5/24(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 许静
主权项 一种电压比较器,其特征在于,包括内建基准电压源和比较器的复合电路,所述复合电路包括第一NPN型晶体管、第二NPN型晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管;所述第一NPN型晶体管的基极和所述第二NPN型晶体管的基极作为输入端接收采样电压,所述第一NPN型晶体管和所述第二NPN型晶体管的基极电压为基准电压;所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管构成电流镜,将所述采样电压与所述基准电压进行比较并输出比较电压。
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