发明名称 电子装置及其制造方法
摘要 本发明涉及一种制造电子装置的方法,该方法包括将第一芯片布置在载体上;在第一芯片和载体上敷绝缘层;向绝缘层敷金属离子溶液以制作具有第一厚度的第一金属层;以及在绝缘层上制作具有第二厚度的第二金属层,其中第一金属层和第二金属层中的至少一个的至少一部分与对应的另一个金属层横向间隔开。
申请公布号 CN101552216B 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN200910006108.0 申请日期 2009.01.23
申请人 英飞凌科技股份有限公司 发明人 I·尼基廷;M·门格尔;G·比尔;H·尤厄
分类号 G01R31/02(2006.01)I 主分类号 G01R31/02(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 范晓斌
主权项 一种制造电子装置的方法,其包括:将第一芯片布置在载体上;在第一芯片和载体上敷绝缘层;向绝缘层敷金属离子溶液以制作具有第一厚度的第一金属层;和在绝缘层上制作具有第二厚度的第二金属层,其中第一金属层和第二金属层中的至少一个的至少一部分与对应的第一金属层和第二金属层中的另一个横向间隔开。
地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号