| 发明名称 | 集成压控振荡器的半导体芯片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种集成压控振荡器的半导体芯片及其制造方法，所述压控振荡器，包括电感，所述电感形成在半导体芯片的衬底上，所述电感区域的下方形成高阻衬底隔离区。其制造方法，包括利用衬底高阻化技术，在所述电感区域的下方形成高阻衬底隔离区。本发明用以解决半导体芯片中不同模块衬底间互相串扰以及高频下衬底较大损耗的问题；制造方法用于制造集成压控振荡器的半导体芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN102496620A | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN201110457122.X | 申请日期 | 2011.12.30 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 李琛 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种集成压控振荡器的半导体芯片，所述压控振荡器，包括电感，所述电感形成在半导体芯片的衬底上，其特征在于，所述电感区域的下方形成高阻衬底隔离区。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||