一种非易失性存储器及对其中的多个存储元件进行编程的方法

摘要

本发明提供一种用于快速且有效地对非易失性集成存储器装置中的难以编程的存储元件进行编程的系统和方法。在流经许多存储元件的电流被限于第一电平的情况下，所述许多存储元件同时经受编程过程。当这些存储元件的一部分达到指定状态时，将它们从正被编程的单元组移除，且升高继续被编程的元件上的电流限制。可将这些难以编程的单元中的电流电平升高到第二、较高的限制或未经调整。根据另一方面，在编程操作期间，允许用于单元的电流限制取决于所述单元将被编程到的目标状态。

主权项

一种在非易失性存储器中将沿着共同字线连接的多个存储元件从初始条件同时编程到多个数据状态中的一者的方法，所述非易失性存储器包含多状态存储元件阵列，所述多状态存储元件连接成沿位线的多个列且所述多状态存储元件连接成一个或多个行，每行连接至对应的字线，所述方法包括：为沿着所述共同字线连接的所述多个存储元件中的每一者提供来自所述多个数据状态中的对应目标状态；以及将所述多个存储元件偏置，其中所述偏置包含：独立地将所述多个存储元件连接到的各自位线中的每一者上的电流限制为不超过视各自存储元件的所述对应目标状态而从多个值中选出的一个值；以及接着将编程波形施加到所述共同字线，而所述各自位线被同时限制为所述多个值中的两个或更多的不同值。