可编程导体随机存取存储器以及向其中写入的方法

摘要

本发明提供一种改进的写入电路和方法，用于写入可编程导体随机存取存储器(PCRAM)单元。该方法包括把位线预充电为第一电压以及把第二电压施加到硫属存储元件的第一端子。把硫属存储元件的第二端子有选择地耦合到位线，以便在存储元件上产生足以把预定阻态写入该元件的电压。第一电压可采用两个不同的值来把两个不同的阻态编程到存储元件中。

主权项

一种操作存储单元的方法，所述方法包括：提供由位线和行线来寻址的存储单元；把所述位线预充电为第一电压并且利用所述位线的寄生电容保持所述预充电；把第二电压施加到与所述存储单元中存储元件的第一端子相连接的公共单元板；以及通过给所述行线施加预定电压，把所述存储元件的第二端子连接到所述位线，其中所述连接允许所述存储元件上的电压足以将预定阻态写入所述存储元件。