| 发明名称 | 抗反射性聚合物、抗反射性组成物及形成图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种抗反射性聚合物、抗反射性组成物及形成图案的方法，所述聚合物用于通过交联获得具有高折射率的抗反射膜。含有所述聚合物的所述抗反射性组成物特别适用于镶嵌工序及半导体器件制造过程中的使用ArF(193nm)的浸没式光刻工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101362812B | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN200810126685.9 | 申请日期 | 2008.06.20 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑载昌;李晟求 |
| 分类号 | C08F228/04(2006.01)I;C08L41/00(2006.01)I;C08K5/42(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | C08F228/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 1.一种重复单元由化学式1构成的聚合物：[化学式1]<img file="FSB00000654181800011.GIF" wi="515" he="524" />其中R<sub>1</sub>与R<sub>2</sub>独立地为氢或甲基，R<sub>3</sub>为C<sub>1</sub>～C<sub>4</sub>烷基，m与n各为范围在0至4的整数，a与b为分别表示重复单元a与重复单元b的自然数，其中，重复单元a与重复单元b的相对重量比为1∶(1.5～3)，化学式1所构成的重复单元具有在1,000至100,000的范围内的平均分子量。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||