| 发明名称 | 一种太阳能电池减反射膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种太阳能电池减反射膜的制备方法，它包括如下步骤：(1)取待制备减反射膜的硅片，置于真空镀膜腔室中，并在腔室内充入惰性气体和反应气体，并将腔室内预热至200-220℃；(2)在硅片的正上方设置一块硅靶材，将激光光束整形后辐照到硅靶材的下表面，并按照所需减反射膜的形状控制光斑移动，在硅靶材上产生硅等离子体，硅等离子体向下喷射的过程中与腔室内的反应气体反应，并在硅片上沉积得到减反射膜。本发明可以实现对镀膜范围的精确控制，留出栅线部分以供后续工序更好的实现印刷烧结，较好地实现欧姆接触，同时，本发明方法还降低了生产过程中的毒性，减少能耗及污染，具有良好的工业应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN102496658A | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN201110445451.2 | 申请日期 | 2011.12.27 |
| 申请人 | 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司 | 发明人 | 吴昕;赵伟;崔江;盛雯婷;张凤鸣 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人 | 李高峡 |
| 主权项 | 一种太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于：它包括如下步骤：(1)取待制备减反射膜的硅片，置于镀膜的腔室中，并在腔室内充入惰性气体和反应气体，并将腔室内预热至200‑220℃；(2)在硅片的正上方设置一块硅靶材，将激光光束整形后辐照到硅靶材的下表面，并按照所需减反射膜的形状控制光斑移动，在硅靶材上产生硅等离子体，硅等离子体向下喷射的过程中与腔室内的反应气体反应，并在硅片上沉积得到减反射膜。 | ||
| 地址 | 610200 四川省成都市双流县西南航空港经济技术开发区天威路1号 | ||