半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测量方法

摘要

本发明提供半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测量方法，属于半导体测试领域。装置包括样品台、原子力显微镜导电探针、电压源、压电激振陶瓷、光学显微镜系统、单色仪、光电探测器和锁相放大器，电压源、压电激振陶瓷均与原子力显微镜导电探针相连，单色仪相连、光电探测器、锁相放大器顺次相连；其方法步骤为：将待测样品放置样品台上；针尖产生一周期性的机械振动；待测样品的裸露表面产生一周期性的光；将待测样品所发出的光聚集至单色仪处进行分光；测量发光信号。本发明解决了现有技术中对测量半导体表面缺陷中电致发光光谱测量存在的问题，本发明可以屏蔽杂散光对测量结果的影响，提供较优的信噪比。

主权项

一种半导体材料表面缺陷测量装置，其特征在于，包括：一原子力显微镜导电探针，所述原子力显微镜导电探针包括悬臂梁及悬臂梁端部的针尖，用于和待测样品接触并将电流注入至待测样品裸露表面；一原子力显微镜控制装置，与所述原子力显微镜导电探针机械相连；一光学显微镜系统，用于收集待测样品的裸露表面所发出的电致发光；一可三维移动的样品台，用于放置待测样品；和一光电探测器，用于探测电致发光的信号。