发明名称 |
内嵌晶粒封装结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明关于一种内嵌晶粒封装结构及其制造方法。该内嵌晶粒封装结构包括一第一金属层、一晶粒、一第一介电层、一第一线路、一保护层及数个外部连接元件。该金属层具有一凹槽与数个条沟槽,这些沟槽围绕该凹槽,且这些沟槽与该凹槽的侧壁具有数个凹陷部。该晶粒位于该凹槽内。该第一介电层覆盖该晶粒,且具有数个第一开口以显露该晶粒的一部分。该第一线路位于这些第一开口,且电性连接该晶粒。该保护层用以保护该第一线路,且具有数个保护层开口。这些外部连接元件位于这些保护层开口。藉此,该第一金属层可增加散热面积以改善散热效果。 |
申请公布号 |
CN102496609A |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201110435561.0 |
申请日期 |
2011.12.22 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
李育颖;陈光雄;王圣民;郑秉昀 |
分类号 |
H01L23/488(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆勍 |
主权项 |
一种内嵌晶粒封装结构,包括:一第一金属层,具有一第一表面、一第二表面、一凹槽与数个条沟槽,其中该凹槽与所述沟槽位于该第一表面,所述沟槽围绕该凹槽,且所述沟槽及该凹槽的侧壁具有数个凹陷部;一晶粒,位于该凹槽内;一第一介电层,位于该第一表面上以覆盖该晶粒,且具有数个第一开口以显露该晶粒的一部分;一第一线路,位于所述第一开口,且电性连接该晶粒;一保护层,保护该第一线路,且具有数个保护层开口;及数个外部连接元件,位于所述保护层开口。 |
地址 |
中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 |