发明名称 |
基于键合基片的超薄硅PIN高能粒子探测器及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于键合基片的超薄硅PIN高能粒子探测器及其制备方法。该探测器包括键合在一起的器件层硅片和支撑层硅片,以及二者之间的二氧化硅层,其中:所述器件层硅片的正面有掺杂形成的P+区,所述P+区之外的硅表面覆盖有二氧化硅层,所述P+区上面覆盖有薄金属层,该薄金属层边缘具有场板结构;所述支撑层硅片在对应于器件层硅片P+区的位置开有窗口形成空腔结构,暴露出器件层硅片的背面,该空腔结构为下宽上窄的倒扣桶状;所述器件层硅片暴露的背面区域为掺杂形成的N+区;所述N+区表面覆盖有厚金属层。本发明的超薄探测器可测量粒子能量及鉴别粒子种类,应用于核物理探测等领域中。 |
申请公布号 |
CN102496632A |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201110452444.5 |
申请日期 |
2011.12.29 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
于民;董显山;田大宇;金玉丰 |
分类号 |
H01L31/0203(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0203(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
李稚婷 |
主权项 |
一种超薄硅PIN高能粒子探测器,包括键合在一起的器件层硅片和支撑层硅片,以及二者之间的二氧化硅层,其中:所述器件层硅片的正面有掺杂形成的P+区,所述P+区之外的硅表面覆盖有二氧化硅层,所述P+区上面覆盖有薄金属层,该薄金属层边缘具有场板结构;所述支撑层硅片在对应于器件层硅片P+区的位置开有窗口形成空腔结构,暴露出器件层硅片的背面,该空腔结构为下宽上窄的倒扣桶状;所述器件层硅片暴露的背面区域为掺杂形成的N+区;所述N+区表面覆盖有厚金属层。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |