发明名称 |
一种MOSFET开关元件的电流采样电路 |
摘要 |
本发明公开了一种MOSFET开关元件的电流采样电路,所述开关元件的第一端和采样模块的第一输入端相连,并作为电流输入信号端,所述开关元件的第二端和采样模块的第二输入端相连,并作为MOSFET开关元件电流输出信号端,所述采样模块的输出端作为采样电流输出信号端,所述采样模块直接采样MOSFET开关元件的第一端和第二端的电压差,所述采样模块的第一输入端和第二输入端之间可允许的最大电压差值为采样模块两个输入端之间的耐压值;所述采样模块包括的钳位模块增加采样模块的耐压值,阻断从采样模块的第一输入端端到第二输入端之间形成电流通路,提高MOSFET开关元件的电流采样电路的工作电压范围。 |
申请公布号 |
CN102495265A |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201110391321.5 |
申请日期 |
2011.11.30 |
申请人 |
杭州士兰微电子股份有限公司 |
发明人 |
高阳;吴剑辉 |
分类号 |
G01R19/00(2006.01)I;G01R15/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01R19/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种MOSFET开关元件的电流采样电路,其特征在于,包括MOSFET开关元件和采样模块:所述的MOSFET开关元件为P沟道MOSFET开关元件,所述开关元件的第一端和采样模块的第一输入端相连,并作为电流输入信号端,所述开关元件的第二端和采样模块的第二输入端相连,并作为MOSFET开关元件电流输出信号端,所述采样模块的输出端作为MOSFET开关元件的电流采样电路的采样电流输出信号端,所述采样模块直接采样MOSFET开关元件的第一端和第二端的电压差,所述采样模块的第一输入端和第二输入端之间可允许的最大电压差值为采样模块两个输入端之间的耐压值;所述采样模块包括钳位模块,所述钳位模块增加采样模块第一输入端和第二输入端之间的耐压值,阻断从采样模块的第一输入端端到第二输入端之间形成电流通路,提高MOSFET开关元件的电流采样电路的工作电压范围。 |
地址 |
310012 浙江省杭州市黄姑山路4号 |