发明名称 | 相变随机访问存储器与相关操作方法 | ||
摘要 | 在相变随机访问存储器(PRAM)设备中,利用多个编程循环,将数据编程到所选存储单元中。在每个编程循环中,在连续的时隙中,进行对包括所选存储单元的单元组的划分编程操作。 | ||
申请公布号 | CN101140802B | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
申请号 | CN200710149028.1 | 申请日期 | 2007.09.04 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李光振;赵佑荣 |
分类号 | G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邵亚丽 |
主权项 | 一种在包含划分为多个单元组的多个相变存储单元的相变随机访问存储器设备中执行编程操作的方法,所述方法包括:从所述多个相变存储单元中的所选存储单元读取验证数据;比较所述验证数据与要编程到所选存储单元中的编程数据,并且根据所述比较,识别所选存储单元中的“n”个失败存储单元,“n”为大于2的自然数;以及利用对应于“m”个失败单元组的“m”个划分编程操作,用所述编程数据的子集编程所述“n”个失败存储单元,其中所述“m”个失败单元组中的每一个都包含所述“n”个失败存储单元中的至少一个,“m”为大于2的自然数;其中在当前编程循环的“m”个连续并且基本均匀间隔的时隙中,执行所述“m”个划分编程操作。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |