调整间隙壁宽度的方法以及构造间隙壁的蚀刻方法

摘要

本发明公开了一种调整间隙壁宽度的方法，所述间隙壁成分为氧化硅，位于由单晶硅基底以及覆盖于单晶硅基底表面的多晶硅结构组成的晶片上，在所述晶片表面沉积一定厚度的氧化硅薄膜之后，且在对晶片进行用以构造间隙壁的定向蚀刻工艺之前，进行如下步骤：采用各向同性的蚀刻方式削减晶片表面的氧化硅薄膜厚度，使氧化硅薄膜厚度达到预定值。本发明还公开了一种构造间隙壁的蚀刻方法。本发明方案可以控制间隙壁的宽度，并且大幅减小多晶硅结构顶部的损失。

主权项

一种调整间隙壁宽度的方法，所述间隙壁成分为氧化硅，位于由单晶硅基底以及覆盖于单晶硅基底表面的多晶硅结构组成的晶片上，其特征在于，在所述晶片表面沉积一定厚度的氧化硅薄膜之后，且在对晶片进行用以构造间隙壁的定向蚀刻工艺之前，进行如下步骤：根据所要达到的氧化硅薄膜厚度的预定值以及晶片表面的氧化硅薄膜厚度，得到需要削减的氧化硅薄膜厚度值，并根据所述需要削减的氧化硅薄膜厚度值，得到反应时间T；将所述晶片表面置于充满等离子体的反应腔中，且所述反应腔处于无偏压环境中，进行各向同性蚀刻，时长为所述反应时间T。