发明名称 具有增强的存储器单元隔离的存储器装置,包括所述存储器装置的系统及形成所述存储器装置的方法
摘要 包括可变电阻材料的存储器装置的存储器单元在所述存储器单元之间具有空腔。电子系统包括此些存储器装置。形成存储器装置的方法包括在所述存储器装置的存储器单元之间提供空腔。
申请公布号 CN102498566A 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN201080041990.3 申请日期 2010.09.10
申请人 美光科技公司 发明人 刘峻
分类号 H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I 主分类号 H01L27/115(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 宋献涛
主权项 一种存储器装置,其包含:至少第一存储器单元及第二存储器单元,其位于衬底上,每一存储器单元包含:第一电极;第二电极;及一定体积的可变电阻材料,其位于所述第一电极与所述第二电极之间;空腔,其安置于所述至少第一存储器单元与所述第二存储器单元之间;及电介质材料,所述电介质材料在其与所述衬底相对的一侧上在所述至少第一存储器单元及所述第二存储器单元上方及其之间延伸,所述电介质材料至少部分地界定所述空腔的边界。
地址 美国爱达荷州
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