| 发明名称 | 有增强的位线和/或字线驱动能力的非易失性存储器设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有增强的位线和/或字线驱动能力的非易失性存储器设备。本发明公开了一种包括具有增强的位线和/或字线驱动能力的相变随机存取存储器(PRAM)设备，其在编程和读取操作期间支持高位线和/或字线回转速率。该相变随机存取存储器(PRAM)设备包括多个行和列的PRAM存储器单元以及至少一个电耦合到一列PRAM存储器单元的局部位线。第一和第二位线选择电路被提供来提高可以使用位线信号来存取和驱动至少一条局部位线的速率。这些第一和第二位线选择电路被配置成在从该列中的所选一个PRAM存储器单元读取数据的操作期间将至少一条局部位线的第一和第二末端电连接到总位线。 | ||
| 申请公布号 | CN1838321B | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN200610071461.3 | 申请日期 | 2006.03.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 赵栢衡;金杜应;郭忠根;赵佑荣;吴泂录 |
| 分类号 | G11C11/56(2006.01)I;G11C11/4193(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 黄小临;王志森 |
| 主权项 | 一种相变随机存取存储器(PRAM)设备，包括：其中具有多个行和列的PRAM存储器单元的PRAM存储器阵列；电耦合到所述PRAM存储器阵列中的一列PRAM存储器单元的局部位线；和第一和第二位线选择电路，其被配置成在从该列中的所选一个PRAM存储器单元读取数据的操作期间，将所述局部位线的第一和第二末端二者都电连接到总位线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||