| 发明名称 | 使用多个电源电压的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及使用多个电源电压的半导体器件。所述半导体器件包括：第一存储器(2)；以及电压调整部(5)，其被配置为接收第一电压、比所述第一电压高的第二电压和比所述第二电压高的第三电压。所述第一存储器(2)包括：存储器单元(26)，其被配置为连接到字线和位线；字线驱动电路(21)，其被配置为驱动所述字线；以及读出放大器(SA)，其被配置为感测在所述存储器单元(26)中存储的信息。所述电压调整部(5)包括：电压修改电路(10)，其被配置为以预定模式降低或者升高所述第三电压，以产生比所述第二电压高的第四电压，并且向所述读出放大器(SA)或者所述字线驱动电路(21)供应所述第四电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101329899B | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN200810108820.7 | 申请日期 | 2008.05.26 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 高桥弘行;中川敦 |
| 分类号 | G11C11/4074(2006.01)I;G11C11/406(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/4074(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陆锦华;黄启行 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一存储器；以及电压调整部，其被配置为接收第一电压、比所述第一电压高的第二电压和比所述第二电压高的第三电压，其中，所述第一存储器包括：存储器单元，其被配置为连接到字线和位线，字线驱动电路，其被配置为驱动所述字线，以及读出放大器，其被配置为感测在所述存储器单元中存储的信息，其中，所述电压调整部包括：电压修改电路，其被配置为以预定模式降低或者升高所述第三电压以产生比所述第二电压高的第四电压，并且向所述读出放大器或者所述字线驱动电路供应所述第四电压。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||