发明名称 制造半导体器件的方法和成型模具
摘要 本发明涉及一种制造半导体器件的方法和一种成型模具,所述方法能够在散热器和树脂之间获得高结合力。根据本发明的制造半导体器件的方法包括:在第一成型模具(14)的空腔(21)中在形成多个开口(22)的表面上安置散热器(60);将树脂(20)填充到空腔中;在第二成型模具(12)中安置安装有半导体芯片(50)的基板(54);和压力焊接第一成型模具(14)与第二成型模具(12)使得半导体芯片嵌入树脂(20)中,其中在散热器(60)的一个表面上形成多个凹部,在散热器(60)的另一表面上形成多个凸部,并且在平面视图中,该多个凹部和该多个凸部相交迭。
申请公布号 CN101593708B 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN200910202811.9 申请日期 2009.05.26
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 佐藤祐子
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 林月俊;安翔
主权项 一种制造半导体器件的方法,包括:在第一成型模具的空腔中的形成有多个开口的表面上设置散热器;将树脂填充到所述空腔中;在第二成型模具上设置安装有半导体芯片的基板;和对所述第一成型模具与所述第二成型模具进行压力焊接,使得所述半导体芯片嵌入所述树脂中,其中,在所述散热器的一个表面上形成多个凹部,在所述散热器的另一表面上形成多个凸部,并且在平面图中,所述多个凹部和所述多个凸部相交迭。
地址 日本神奈川