异常磁致电阻器件

摘要

本发明提供一种异常磁致电阻器件。一种具有减小的尺寸和提高的分辨率的异常磁致电阻传感器包括接触磁有效层的多条导电引线且还包括导电分路结构。传感器的该导电引线和分路结构可以以公共光刻掩模化和蚀刻工艺形成从而他们彼此自对准。这避免了需要对准多个光刻处理步骤，由此允许大大提高的分辨率和减小的引线间隔。该异常磁致电阻传感器能形成有磁有效层，该磁有效层能接近或处于气垫面处以获得与数据记录系统的相邻磁介质的改善的磁间隔。

主权项

一种制造异常磁致电阻传感器的方法，包括：提供衬底；在该衬底上生长半导体异质结构；在该异质结构上形成第一掩模结构；进行第一材料去除工艺以去除该半导体异质结构的未被该第一掩模结构保护的部分以形成台结构；去除该第一掩模结构；形成第二掩模结构，该第二掩模结构具有分路定义开口和多个引线定义开口；进行第二材料去除工艺以去除该半导体异质结构的通过该引线定义开口和该分路定义开口暴露的部分；以及沉积导电材料，其中该引线定义开口交叠该台结构，由此该第二材料去除工艺在该台结构侧面中形成凹口。