发明名称 |
基于使用耦合感测邻近者来对非易失性存储器中的相邻存储元件之间的耦合进行补偿 |
摘要 |
非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上存储的表观电荷的偏移可能因基于相邻浮动栅极(或其它相邻电荷存储元件)中存储的电荷的电场耦合而发生。为了补偿此耦合,对给定存储器单元的读取或编程过程可考虑到相邻存储器单元的经编程状态。为了确定是否需要补偿,可执行一种过程,其包括感测关于相邻存储器单元(例如,在相邻位线或其它位置上)的经编程状态的信息。 |
申请公布号 |
CN101512662B |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN200780027541.1 |
申请日期 |
2007.07.18 |
申请人 |
桑迪士克股份有限公司 |
发明人 |
方玉品;李彦 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
刘国伟 |
主权项 |
一种用于操作非易失性存储装置的方法,其包含:确定一组非易失性存储元件是否处于第一条件,其中所述第一条件对应于一组电荷存储状态中的最高经编程状态;响应于所述确定,对用于经确定处于所述第一条件的非易失性存储元件的第一组控制线进行充电;以及响应于所述充电,通过感测用于非处于所述第一条件的非易失性存储元件的第二组控制线以确定所述第一组控制线是否已充分耦合至所述第二组控制线,来确定所述组非易失性存储元件中的哪一些非易失性存储元件具有处于所述第一条件的邻近非易失性存储元件,与已充分耦合至所述第一组控制线的所述第二组控制线相关联的非易失性存储元件具有处于所述第一条件的至少一个邻近者。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |