发明名称 装有多晶硅插片隔热层的多晶硅还原炉节能装置及方法
摘要 本发明属于装有多晶硅插片隔热层的多晶硅还原炉节能装置及方法。不锈钢管和多晶硅插片组成的隔热层与炉体的内壁的间距为25~250mm;隔热层与炉体内壁连接,炉体通过法兰固定在底座上;底座上装有底盘进气口,氢气或者四氯氢硅气体由底盘进气口进入环形进气管,环形进气管上开有方口,氢气或者四氯氢硅气体由环形进气管进入炉体与隔热层之间的空隙,并充满空隙;采用不锈钢管柱体框架和多晶硅插片组成的隔热层减少炉内硅棒向炉体壁面的辐射传热损失,同时隔热层上的多晶硅插片沉积高纯的多晶硅产品;采用框架冷却系统保证隔热层多晶硅插片上生长多晶硅时不被金属污染;采用壁面保护系统保证炉体内壁的镜面不被污染。
申请公布号 CN102491336A 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN201110388283.8 申请日期 2011.11.29
申请人 天津大学 发明人 刘春江;段连;黄哲庆;郄思远;周阳
分类号 C01B33/03(2006.01)I 主分类号 C01B33/03(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 王丽
主权项 一种装有多晶硅插片隔热层多晶硅还原炉,包括含夹套冷却水装置的双层炉体(1)、不锈钢管(2)、开有凹槽的不锈钢板(3)、还原炉底盘(4)、环形进气管(5)、底盘进气口(6)、多晶硅插片(7)、螺栓(8);其特征是不锈钢管和多晶硅插片组成的隔热层与炉体的内壁的间距为25~250mm;隔热层与炉体内壁连接,炉体通过法兰固定在底座上;底座上装有底盘进气口,氢气或者四氯氢硅气体由底盘进气口进入环形进气管,环形进气管上开有方口,氢气或者四氯氢硅气体由环形进气管进入炉体与隔热层之间的空隙,并充满空隙;炉体装有夹套冷却水装置。
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