一种ITO陶瓷靶制备方法

摘要

本发明的主要目的是提高一种ITO陶瓷靶制备方法。技术方案是：一种ITO陶瓷靶制备方法，其特征在于，包括操作：①以ITO粉为原料，与有机单体，胶联剂、有机分散剂和水制成悬浮液，并加入引发剂至所述悬浮液中反应得到混合浆料；②接着将所得的混合浆料注入模具中静置；③干燥脱模后在1200-1700℃下烧结该素坯，即得致密ITO陶瓷靶。本发明的处理方法存在的优点：可实现近净尺寸成型，制备出复杂形状的部件；坯体和烧结体性能均匀性好。ITO陶瓷靶产品晶粒大小分布均匀，约为3-5μm、高致密且烧结体密度为99.0％以上。

主权项

一种ITO陶瓷靶制备方法，其特征在于，包括以下操作：①以ITO粉为原料，与有机单体，胶联剂、有机分散剂和水制成悬浮液，并加入引发剂至所述悬浮液中反应得到混合浆料；②接着将所得的混合浆料注入模具中静置；③干燥脱模后在1200‑1700℃下烧结该素坯，即得致密ITO陶瓷靶。