发明名称 |
气体放电器件介质保护膜、其成膜材料及包括其的等离子显示屏 |
摘要 |
本发明公开了一种气体放电器件介质保护膜、其成膜材料及包括其的等离子显示屏。该成膜材料由MgO和掺杂物质MO组成,其中,掺杂元素M与Mg元素的摩尔比为x∶(1-x),0.05≤x≤0.5,掺杂元素的离子半径与Mg2+半径相当。本发明中的介质保护膜,由于MgO中掺入离子半径与Mg2+半径相当的掺杂元素,提高了表面价带能级上限,使禁带宽度变窄,从而使得包括该介质保护膜的气体放电器件放电单元中的Xe离子的二次电子发射系数提高,达到了降低高Xe含量放电气体下PDP屏着火电压的目的,从而降低了PDP屏的功耗,提高了其亮度和光效。 |
申请公布号 |
CN102496550A |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201110418397.2 |
申请日期 |
2011.12.14 |
申请人 |
四川虹欧显示器件有限公司 |
发明人 |
严群;邢芳丽;张鑫 |
分类号 |
H01J11/40(2012.01)I;H01J11/10(2012.01)I |
主分类号 |
H01J11/40(2012.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
吴贵明;余刚 |
主权项 |
一种气体放电器件介质保护膜的成膜材料,其特征在于,由MgO和掺杂物质MO组成,其中,掺杂元素M与Mg元素的摩尔比为x∶(1‑x),0.05≤x≤0.5,所述掺杂元素的离子半径与Mg2+半径相当。 |
地址 |
621000 四川省绵阳市经济开发区绵州大道中段186号长虹工业园 |