发明名称 气体放电器件介质保护膜、其成膜材料及包括其的等离子显示屏
摘要 本发明公开了一种气体放电器件介质保护膜、其成膜材料及包括其的等离子显示屏。该成膜材料由MgO和掺杂物质MO组成,其中,掺杂元素M与Mg元素的摩尔比为x∶(1-x),0.05≤x≤0.5,掺杂元素的离子半径与Mg2+半径相当。本发明中的介质保护膜,由于MgO中掺入离子半径与Mg2+半径相当的掺杂元素,提高了表面价带能级上限,使禁带宽度变窄,从而使得包括该介质保护膜的气体放电器件放电单元中的Xe离子的二次电子发射系数提高,达到了降低高Xe含量放电气体下PDP屏着火电压的目的,从而降低了PDP屏的功耗,提高了其亮度和光效。
申请公布号 CN102496550A 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN201110418397.2 申请日期 2011.12.14
申请人 四川虹欧显示器件有限公司 发明人 严群;邢芳丽;张鑫
分类号 H01J11/40(2012.01)I;H01J11/10(2012.01)I 主分类号 H01J11/40(2012.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 吴贵明;余刚
主权项 一种气体放电器件介质保护膜的成膜材料,其特征在于,由MgO和掺杂物质MO组成,其中,掺杂元素M与Mg元素的摩尔比为x∶(1‑x),0.05≤x≤0.5,所述掺杂元素的离子半径与Mg2+半径相当。
地址 621000 四川省绵阳市经济开发区绵州大道中段186号长虹工业园