发明名称 MEMS筒式耐高温超高压力传感器
摘要 MEMS筒式耐高温超高压力传感器,包括底座,硅梁敏感元件封装在底座上部承压筒的侧平面上,其测量岛与承压筒的侧面相接触,承压筒配置有高温转接端子,硅梁敏感元件的惠斯通电桥和高温转接端子连接,高温电缆线连接高温转接端子与外部电路,被测压力作用在承压筒上并使其圆周发生膨胀形变,其径向的最大形变扰度传递到测量岛上,硅梁发生形变,惠斯通电桥的四个压敏电阻阻值发生变化,恒定电流或恒定电压经由高温电缆线、高温转接端子和金丝引线加载至电桥输入端,电桥输出与被测压力成正比的电信号并传输至外部电路,实现对被测压力的测量,本发明具有测量量程大,应用范围广,灵敏度和信噪比好,传感器的温度稳定性好的优点。
申请公布号 CN102052985B 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN201010621888.2 申请日期 2010.12.31
申请人 西安交通大学 发明人 赵立波;郭鑫;赵玉龙;吴婧;苑国英;蒋庄德
分类号 G01L9/06(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I 主分类号 G01L9/06(2006.01)I
代理机构 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人 贺建斌
主权项 MEMS筒式耐高温超高压力传感器,包括底座(1),其特征在于:底座(1)下部为螺纹基座,上部为承压筒(2),承压筒(2)的顶部为两侧对称配置有平面的圆柱台(12),硅梁敏感元件(3)对称封装在圆柱台(12)侧平面上,硅梁敏感元件(3)的固定端(11)在圆柱台(12)侧平面上,而测量岛(8)与承压筒(2)的侧面相接触,承压筒(2)内部的承压孔(13)孔底不超过圆柱台(12)的下底面,外壳(6)安装在底座(1)上,承压筒(2)的圆柱台(12)的顶面配置有高温转接端子(10),硅梁敏感元件(3)的惠斯通电桥通过金丝引线(4)和高温转接端子(10)连接,高温电缆线(5)穿过外壳(6)上的固线帽(7)连接高温转接端子(10)与外部电路。
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