发明名称 半导体装置及振荡器
摘要 提供一种Q值大、相位噪声特性良好的半导体装置。半导体装置(1)具有:半导体基板(10),其包括作为有源元件的集成电路(12)和与集成电路(12)电连接的多个连接电极(14、15);第1树脂层(70),其形成于半导体基板(10)形成有连接电极(14、15)的面上,并且避开了连接电极(14、15);连接布线层(25、26),其形成于半导体基板(10)和第1树脂层(70)之间,连接多个连接电极中的一个;由铜布线层构成的旋涡形状的螺旋电感器(40、50),该铜布线层形成于第1树脂层的表面上,其一端与连接布线层(25、26)连接;覆盖螺旋电感器(40、50)的表面的第2树脂层(75);外部端子(81~86),其与多个连接电极中的一些电连接,一部分从第2树脂层(75)突出。
申请公布号 CN1905361B 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN200610107873.8 申请日期 2006.07.27
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 高木成和
分类号 H03H3/00(2006.01)I;H01F17/00(2006.01)I;H01G17/00(2006.01)I 主分类号 H03H3/00(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 黄纶伟
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具有: 半导体基板,其包括作为有源元件的集成电路、和与该集成电路电连接的多个连接电极; 第1树脂层,其形成于所述半导体基板的形成有所述连接电极的面上,并且避开了所述连接电极; 连接布线层,其形成于所述半导体基板和所述第1树脂层之间,连接所述多个连接电极中的一个; 铜布线层,其形成于所述第1树脂层的表面上,其一端连接所述连接布线层; 无源元件,其由所述连接布线层和所述铜布线层构成; 第2树脂层,其覆盖所述铜布线层的表面; 外部端子,其与所述多个连接电极中的一些电连接,一部分从所述第2树脂层突出。
地址 日本东京