半导体热处理真空炉热场结构

摘要

本发明涉及一种半导体热处理真空炉热场结构，包括：热场箱，位于真空炉内，包括箱体及箱盖，箱体一侧开口与箱盖密合，箱体与箱盖均为保温碳毡材料；设置在热场箱底部的炉床；装载台放置在炉床上，包括两侧壁，侧壁上平行设有若干用于放置工件的凹槽；加热器，设置在装载台上方和/或下方，与外部电极连接。本发明通过在热场箱的内壁的保温碳毡表面喷涂耐高温涂料，并在箱体出口的边缘、箱盖和风窗处除了喷涂耐高温涂料外，还包裹一层碳碳复合材料，增强了热场箱的防氧化效果，增加了其使用寿命，提高了保温效果；通过上下设置的加热器中并排设置的加热棒对工件进行均衡加热，不仅缩短加热时间，且提高了热处理效果，减少了能耗，降低了成本。

主权项

一种半导体热处理真空炉热场结构，其特征在于，包括：热场箱，位于真空炉内，包括箱体及箱盖，箱体一侧开口与箱盖密合，箱体与箱盖均为保温碳毡材料；所述箱体的内表面和/或开口边缘喷涂有耐高温涂料层；所述箱体的开口边缘在耐高温涂料层外包裹有碳碳复合材料层，所述碳碳复合材料层横截面为U型；所述箱体侧壁及顶部设有用于观察及通风通气的风窗；所述风窗的窗口边缘喷涂有耐高温涂料层；所述风窗的窗口边缘的耐高温涂料层外包裹有碳碳复合材料层，通过钼螺丝与箱体固定连接；炉床，包括四个支撑脚，设置在所述热场箱底部；装载台，放置在所述炉床的支撑脚上，包括两侧壁，所述侧壁上平行设有若干凹槽，该凹槽用于放置搁置工件的平板；加热器，设置在所述装载台上方和/或下方，与外部电极连接。