硅多结太阳能电池及其制备方法

摘要

硅多结太阳能电池，其具有至少两个子电池(1，2)，每个子电池具有p-型层(p1，p2)、本征层(i1，i2)和磷掺杂的n-型层(n1，n2)。与置于其前的子电池(1)的n-型层(n1)接触的p-型层(p2)被构造为至少部分纳米-或微晶的。

主权项

硅多结太阳能电池，其包括至少两个子电池(1，2)，每个子电池包括p‑型层(p1，p2)、本征层(i1，i2)和磷掺杂的n‑型层(n1，n2)，光经由p‑型层(p1，p2)落入特定子电池(1，2)的本征层(i1，i2)，p‑型层(p2)具有在与置于其前的子电池(1)的n‑型层(n1)的界面处的第一子层(p‑21)，以及具有非晶第二子层(p22)，其特征在于p‑型层(p2)的第一子层(p21)包括纳米晶硅，该纳米晶硅包括尺寸为1‑100nm的晶体，并且具有至少2nm的层厚度，所述n‑型层(n1)具有比与其接触的位于其后的子电池(2)的p‑型层(p2)的层厚度(Dp2)更小的层厚度(Dn1)。