发明名称 |
一种有源箝位电路 |
摘要 |
本实用新型属于集成电路技术领域,公开了一种有源箝位电路,具体包括:一限流电阻、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管和一恒流源,其中,恒流源和第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管的尺寸确定了电路的箝位点稳定值。本实用新型的箝位电路克服了传统齐纳二极管箝位电路的缺陷,电路结构简单,可精确调节箝位点电压的稳定值,版图面积小,无需额外光刻板和工艺流程,成本低,可广泛应用于模拟或数模混合集成电路中。 |
申请公布号 |
CN202275331U |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201120418844.X |
申请日期 |
2011.10.28 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
周泽坤;代高强;石跃;王慧芳;明鑫;张波 |
分类号 |
G05F1/613(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/613(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
周永宏 |
主权项 |
一种有源箝位电路,其特征在于,包括:一限流电阻、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管和一恒流源,其中,所述限流电阻,包括第一端子,用于接收一输入信号,以及第二端子,用于输出一输出信号;所述第一NMOS晶体管的漏极连接于所述限流电阻的第二端子,栅极接所述第一PMOS管的漏极,源极和衬底耦接至接地点;所述第二NMOS晶体管的栅极和漏极连接于所述限流电阻的第二端子,源极接所述第一PMOS管的源极,衬底耦接至接地点;所述第一PMOS管的栅极耦接至接地点,衬底接外部电源;所述恒流源,包括一正向端子,接所述第一NMOS晶体管的栅极,一负向端子,耦接至接地点。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |