发明名称 |
桥式-纳米光栅可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
摘要 |
基于表面纳米光栅的波长可调谐垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构,正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上,欧姆接触层(5)以上依次为空气隙层(12)、砷化镓层(2a)、铝砷化镓层(2b),欧姆接触层(5)以下依次为铝砷化镓氧化电流限制层(6)、有源区(7)、n型铝砷化镓层(8a)、n型砷化镓层(8b)、n型砷化镓衬底(10)、衬底电极层(11),纳米光栅(15)位于砷化镓层(2a)表面之上。由于空气隙层的厚度可以通过静电力等机械调整,因此使得激光器谐振腔内部传输光子相位变化,同时输出的光束经过纳米光栅(15),从而实现波长和偏振的同时控制。 |
申请公布号 |
CN102013633B |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201010532381.X |
申请日期 |
2010.10.29 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
关宝璐;郭霞;任秀娟;李硕;李川川;郝聪霞 |
分类号 |
H01S5/183(2006.01)I;H01S5/187(2006.01)I;H01S5/068(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/183(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
吴荫芳 |
主权项 |
桥式‑纳米光栅波长可调谐垂直腔面发射结构激光器,由包含纳米光栅(15)在内的半导体光电子器件构成,其特征在于:从上向下依次层叠环形的第一正向电极层(1a)、分布反馈布拉格反射镜的第一反射面(2)、腐蚀停层(4)、空气隙层(12)、环形的第二正向电极层(1b)、p型欧姆接触层(5)、氧化电流限制层(6)、有源区(7)、分布反馈布拉格反射镜的第二反射面(8)、衬底(10)、衬底电极层(11),所述纳米光栅(15)位于分布反馈布拉格反射镜的第一反射面(2)的上表面,并位于第一正向电极层(1a)的环形结构中间,其周期结构尺寸等于或小于输出光的波长量级;所述分布反馈布拉格反射镜的第一反射面(2)为可动悬臂梁结构。 |
地址 |
100124 北京市朝阳区平乐园100号 |