发明名称 |
沟槽功率器件结构的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种沟槽功率器件结构的制造方法,包括步骤:提供衬底,分为有源区和终端结构区域;通过离子注入和扩散工艺在衬底中形成保护环;在衬底表面形成场氧,完成有源区的定义;在衬底和场氧表面形成沟槽硬掩模层和光刻胶层,并对光刻胶层作图形化,沟槽位置与场氧边缘有部分重叠;依次刻蚀沟槽硬掩模层和场氧,露出衬底;以沟槽硬掩模层为掩模,刻蚀衬底形成沟槽,后去除沟槽硬掩模层;在沟槽内壁生长栅极氧化层,其在沟槽顶部边缘伸入场氧下方形成鸟嘴;进行后续半导体工艺,完成沟槽功率器件结构的制造过程。本发明在原有工艺过程中不增加工艺步骤,避免沟槽顶部尖角的形成,防止了由于沟槽顶部尖角导致的栅极漏电失效和可靠性问题的产生。 |
申请公布号 |
CN102496568A |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201110446220.3 |
申请日期 |
2011.12.27 |
申请人 |
上海先进半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
永福;陈雪萌 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陈亮 |
主权项 |
一种沟槽功率器件结构(100)的制造方法,包括步骤:提供半导体衬底(102),其分为有源区(104)和终端结构区域(106);在所述半导体衬底(102)上旋涂第一光刻胶层(108)并光刻、显影,在所述终端结构区域(106)开出保护环(110)的窗口;通过离子注入和扩散工艺在所述半导体衬底(102)中形成器件的所述保护环(110);在所述半导体衬底(102)的表面形成场氧(112),并完成所述有源区(104)的定义;在所述半导体衬底(102)和所述场氧(112)的表面依次形成沟槽硬掩模层(114)和第二光刻胶层(116),并依据沟槽(118)的位置对所述第二光刻胶层(116)作图形化,所述沟槽(118)的位置与所述场氧(112)的边缘有部分重叠;依次刻蚀所述沟槽硬掩模层(114)和所述场氧(112),露出所述半导体衬底(102)的表面;以所述沟槽硬掩模层(114)为掩模,刻蚀所述半导体衬底(102),在其中形成沟槽(118),之后去除所述沟槽硬掩模层(114);在所述沟槽(118)的内壁生长栅极氧化层(120),所述栅极氧化层(120)在所述沟槽(118)的顶部边缘伸入所述场氧(112)的下方形成鸟嘴;进行后续的半导体工艺,完成所述沟槽功率器件结构(100)的制造过程。 |
地址 |
200233 上海市徐汇区虹漕路385号 |