发明名称 |
超高压BCD工艺中的LDMOS结构 |
摘要 |
本发明提供一种超高压BCD工艺中的LDMOS结构,位于P-衬底上的N-外延层中,其包括:第一高压P型体区,位于N-外延层表面;两个高压N+注入区,分别位于第一高压P型体区和漏极位置处;栅氧化层和多晶硅栅极,位于N-外延层上表面,与第一高压P型体区连接;层间介质层,覆盖N-外延层上表面,并在LDMOS结构的源极、漏极和多晶硅栅极位置处留出窗口;源极、漏极和栅极金属场板,分别位于层间介质层上,并且源极金属场板透过源极窗口与第一高压P型体区短接,漏极金属场板透过漏极窗口与漏极连接,栅极金属场板透过栅极窗口与多晶硅栅极连接。本发明不仅为高压器件提供了降低表面电场、提高耐压的场板,而且大幅降低多晶硅栅极的寄生电阻,提高栅极开关频率。 |
申请公布号 |
CN102496627A |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201110445995.9 |
申请日期 |
2011.12.27 |
申请人 |
上海先进半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
吕宇强;邵凯;陈雪萌;永福;杨海波 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陈亮 |
主权项 |
一种超高压BCD工艺中的LDMOS结构(100),位于P‑衬底(101)上的N‑外延层(102)中,其包括:第一高压P型体区(103),位于所述N‑外延层(102)表面;两个高压N+注入区(104),分别位于所述第一高压P型体区(103)中和所述LDMOS结构(100)的漏极位置处;栅氧化层和多晶硅栅极(105),位于所述N‑外延层(102)上表面,与所述第一高压P型体区(103)相连接;层间介质层(106),覆盖所述N‑外延层(102)的上表面,并在所述LDMOS结构(100)的源极、漏极和所述多晶硅栅极(105)位置处留出窗口;源极金属场板(107),位于所述层间介质层(106)上并且透过源极窗口与所述第一高压P型体区(103)短接;漏极金属场板(108),位于所述层间介质层(106)上并且透过漏极窗口与所述LDMOS结构(100)的漏极连接;以及栅极金属场板(109),位于所述层间介质层(106)上并且透过栅极窗口与所述多晶硅栅极(105)连接。 |
地址 |
200233 上海市徐汇区虹漕路385号 |