发明名称 |
一种双面对称弹性梁结构电容式微加速度传感器及方法 |
摘要 |
本发明涉及双面对称弹性梁结构电容式微加速度传感器及制作方法,其特征在于(1)双器件层SOI硅片为弹性梁-质量块结构的基片;(2)固定上电极、固定下电极分别位于质量块的上下两边;(3)弹性梁为直梁,其一端与质量块相连,另一端与支撑框架相连;(4)过载保护凸点制作在质量块的上下两面;(5)阻尼调节槽制作在质量块的上下两面;(6)质量块电极引出通孔的位置在支撑框架之上。利用湿法腐蚀自停止技术,在湿法腐蚀中一次加工形成加速度传感器中最为重要的弹性梁-质量块结构;利用硅硅直接键合方法实现了三层硅片的键合,质量块电极引出通孔通过红外对准光刻在固定上电极制作。在提高器件灵敏度的同时也降低了交叉轴灵敏度。 |
申请公布号 |
CN102495234A |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201110379369.4 |
申请日期 |
2011.11.23 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
车录锋;周晓峰;熊斌;王跃林 |
分类号 |
G01P15/125(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01P15/125(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
潘振甦 |
主权项 |
一种具有双面对称弹性梁结构的电容式微加速度传感器,其特征在于所述的电容式微加速度传感器基于双器件层SOI硅片包括质量块、电容间隙、阻尼调节槽、过载保护凸点、弹性梁、固定上电极、固定下电极和质量块电极引出通孔;其中,(1)双器件层SOI(100)单晶硅片为弹性梁‑质量块结构的基片;(2)固定上电极、固定下电极分别位于质量块的上下两边;(3)弹性梁为直梁,其一端与质量块相连,另一端与支撑框架相连;(4)过载保护凸点制作在质量块的上下两面;(5)阻尼调节槽制作在质量块的上下两面;(6)质量块电极引出通孔的位置在支撑框架之上。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |