发明名称 |
制造全局快门像素传感器单元的结构、设计结构和方法 |
摘要 |
本发明涉及像素传感器单元、用于制造像素传感器单元的方法以及用于像素传感器单元的设计结构。像素传感器单元包括:在半导体层(100)的第一区域中的光电二极管主体(150);在该半导体层的第二区域中的浮动扩散节点(165),该半导体层的第三区域位于该第一区域与该第二区域之间并且与该第一区域和该第二区域邻接;以及在该半导体层中的介电隔离(105),该介电隔离围绕该第一区域、该第二区域和该第三区域,该介电隔离与该第一区域、该第二区域和该第三区域以及该光电二极管主体邻接,该介电隔离不与该浮动扩散节点邻接,该第二区域的部分置于该介电隔离与该浮动扩散节点之间。 |
申请公布号 |
CN102498568A |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201080041345.1 |
申请日期 |
2010.09.02 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
J·阿德基松;J·埃尔利斯-莫纳格汉;M·雅菲;R·拉塞尔 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L27/148(2006.01)I;H04N5/225(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
酆迅;边海梅 |
主权项 |
一种像素传感器单元,包括:在半导体层的第一区域中的光电二极管主体;在所述半导体层的第二区域中的浮动扩散节点,所述半导体层的第三区域位于所述第一区域与所述第二区域之间并且与所述第一区域和所述第二区域邻接;以及所述半导体层中的介电隔离,所述介电隔离围绕所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域,所述介电隔离与所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域以及所述光电二极管主体邻接,所述介电隔离不与所述浮动扩散节点邻接,所述第二区域的部分置于所述介电隔离与所述浮动扩散节点之间。 |
地址 |
美国纽约阿芒克 |