| 发明名称 | 锗硅选择性外延生长预处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种锗硅选择性外延生长预处理方法，包括如下步骤：向反应腔体中的器件通入氢气等离子体；所述器件上的自然氧化层与氢气等离子体进行化学反应后生成水汽挥发掉；在所述器件的源/漏极区域进行锗硅选择性外延生长。由上述技术方案的实施，避免了预处理过程中等离子体对侧墙的蚀刻，提升锗硅薄膜生长的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN102496574A | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN201110366171.2 | 申请日期 | 2011.11.17 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 张文广;郑春生;徐强;陈玉文 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种锗硅选择性外延生长预处理方法，包括如下步骤：向反应腔体中的器件通入氢气等离子体；所述器件上的自然氧化层与氢气等离子体进行化学反应后生成水汽挥发掉；在所述器件的源/漏极区域进行锗硅选择性外延生长。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||