发明名称 低工作电压宽动态范围图像传感器
摘要 本发明属于半导体图像感测领域,具体涉及一种低工作电压宽动态范围图像传感器装置。图像传感器装置包括一个像素电路、一个模数转换电路、行读出控制电路和列读出控制电路。像素电路采用连续工作模式,提出一种电流源控制方式,不会引入复位噪声,输出电压直接输入模数转换电路进行模数转换,不需要集成相关双采样电路;同时像素电路输出电压摆幅大,不需要集成列放大器电路,简化了装置设计流程,节省芯片面积。该图像传感器装置采用1.8V低工作电压,适于低功耗应用;感光动态范围极宽,高达160dB;结构简单,像素尺寸小;输出电压摆幅大,可以直接被12-bitADC读取。
申请公布号 CN102497517A 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN201110381913.9 申请日期 2011.11.25
申请人 吉林大学 发明人 常玉春;周泉;王玉琦;杜国同;郭树旭;乔栋;李兆涵
分类号 H04N5/374(2011.01)I;H04N5/3745(2011.01)I 主分类号 H04N5/374(2011.01)I
代理机构 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人 张景林;刘喜生
主权项 一种低工作电压宽动态范围图像传感器,其特征在于:由像素电路、模数转换电路、行读出控制电路和列读出控制电路组成,像素电路由一个M×N阵列的像素单元组成,每一个像素单元采用电流源控制模式,产生一个随光强连续变化的输出电压信号;输出电压信号在外部时钟控制下输入模数转换电路进行模数转换;同时在外部时钟控制下,行读出控制电路产生行选信号,控制像素电路信号逐行向下传输;列读出控制电路产生列选信号,控制像素电路最末一行信号按次序逐位输出;像素电路的一个像素单元由一个电流源和一个穿通效应增强型硅光电晶体管相串联组成。
地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号
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