| 发明名称 | 层叠膜的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体装置以及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体膜的制造方法具备如下工序：形成被基板101支撑的第一膜103的工序(a)；形成被基板支撑并且热传导率比第一膜103低的第二膜102的工序(b)；在第一膜103和第二膜102的上方堆积非晶质状态的半导体膜104的工序(c)；以及通过对半导体膜104中位于第一膜103和第二膜102的上方的部分照射相同强度的能量束，使半导体膜104中位于第二膜102上的部分晶化，使半导体膜104中位于第一膜103上的部分原样保留非晶质状态的工序(d)。 | ||
| 申请公布号 | CN101689485B | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN200880024408.5 | 申请日期 | 2008.07.14 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 宫嶋利明 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人 | 权鲜枝 |
| 主权项 | 一种层叠膜的制造方法，具备如下工序：在基板上的第一区域形成第一膜的工序(a)；在上述基板上的与上述第一区域不同的第二区域形成热传导率比上述第一膜低的第二膜的工序(b)；在上述第一膜和上述第二膜的上方堆积非晶质状态的半导体膜的工序(c)；以及通过对上述半导体膜中位于上述第一膜和上述第二膜的上方的部分照射相同强度的能量束，使上述半导体膜中位于上述第二膜上的部分晶化，使上述半导体膜中位于上述第一膜上的部分原样保留非晶质状态的工序(d)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||