发明名称 用于串行编程MRAM的电流重新路由方案
摘要 本发明提供一种用于以低电流消耗来对磁性随机存取存储器元件进行编程的方法和装置,该方法和装置利用所选方向上所选的位线来重新路由数字线电流。
申请公布号 CN1717742B 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN200380104246.3 申请日期 2003.10.29
申请人 NXP股份有限公司 发明人 A·M·H·迪特维格;R·库彭斯
分类号 G11C11/16(2006.01)I 主分类号 G11C11/16(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 王波波
主权项 一种以减少的电流消耗来对磁阻存储元件进行编程的方法,包括:经第一导电条和经第二导电条提供电流,所述第一和第二导电条在存储元件上彼此交叉,在那里流过第一导电条的电流被临时路由通过第二导电条。
地址 荷兰艾恩德霍芬