制造III族氮化物基化合物半导体的方法、晶片和器件

摘要

本发明提供制造III族氮化物基化合物半导体的方法、晶片以及III族氮化物基化合物半导体器件。所述方法制造具有M-晶面主表面的III族氮化物基化合物半导体。所述方法采用具有主表面的蓝宝石衬底，该主表面围绕由R-晶面和与R-晶面垂直的A-晶面所形成的L蓝宝石-AM相交线相对于R-晶面成30°倾斜。蓝宝石衬底的R-晶面表面被暴露，在衬底的主表面上形成二氧化硅掩模。在暴露的R-晶面表面上形成AlN缓冲层。在AlN缓冲层上形成GaN层。在GaN生长的初始阶段，通过横向生长使GaN层完全覆盖蓝宝石衬底的上表面。生长GaN层以使所述层的a-轴垂直于蓝宝石衬底的暴露的R-晶面表面；所述层的c-轴平行于蓝宝石衬底的轴向L蓝宝石-AM；所述层的m-轴垂直于蓝宝石衬底的主表面。

主权项

一种制造III族氮化物基化合物半导体的方法，包括：加工蓝宝石衬底的主表面，所述主表面围绕由R‑晶面和与R‑晶面垂直的A‑晶面所形成的相交线相对于R‑晶面成30°倾斜，由此暴露出相对于所述主表面成30°倾斜的R‑晶面表面；和通过缓冲层的调节，主要在所述蓝宝石衬底的所述暴露的R‑晶面表面上外延生长目标III族氮化物基化合物半导体，使得所述III族氮化物基化合物半导体具有平行于所述蓝宝石衬底的所述暴露的R‑晶面表面的A‑晶面表面，由此形成具有平行于所述蓝宝石衬底主表面的M‑晶面主表面的III族氮化物基化合物半导体层。