洗涤用组合物、半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种洗涤用组合物，其是如下所述的半导体元件的洗涤用组合物：在具有低介电常数层间绝缘膜和铜布线或铜合金布线的基板上，依次叠层有机硅氧烷类薄膜和光致抗蚀层后，在该光致抗蚀层上实施选择性曝光/显影处理，形成光致抗蚀图案；接着，将该抗蚀图案作为掩模，在前述有机硅氧烷类薄膜和前述低介电常数层间绝缘膜上实施干蚀刻处理；然后除去前述有机硅氧烷类薄膜、在干蚀刻处理中产生的残渣、因干蚀刻处理而导致改性的改性光致抗蚀剂、以及位于前述改性光致抗蚀剂下层的未改性的光致抗蚀层。该洗涤用组合物含有15～20质量％的过氧化氢、0.0001～0.003质量％的氨基多亚甲基膦酸类、0.02～0.5质量％的氢氧化钾以及水，并且pH为7.5～8.5。此外，还提供一种使用该洗涤用组合物的半导体元件的制造方法。

主权项

一种洗涤用组合物，其是如下所述的半导体元件的洗涤用组合物：在具有低介电常数层间绝缘膜和铜布线或铜合金布线的基板上，依次叠层有机硅氧烷类薄膜和光致抗蚀层后，对该光致抗蚀层实施选择性曝光/显影处理，形成光致抗蚀图案，接着，将该抗蚀图案作为掩模，对前述有机硅氧烷类薄膜和前述低介电常数层间绝缘膜实施干蚀刻处理，然后除去前述有机硅氧烷类薄膜、在干蚀刻处理中产生的残渣、因干蚀刻处理而导致改性的改性光致抗蚀剂、以及位于前述改性光致抗蚀剂下层的未改性光致抗蚀层，该洗涤用组合物含有15～20质量％的过氧化氢、0.0001～0.003质量％的氨基多亚甲基膦酸、0.02～0.5质量％的氢氧化钾以及水，并且pH为7.5～8.5。