光掩模的制造方法及使用该光掩模的图案转印方法

摘要

本发明是对于光掩模，在透光性基板的主表面上形成遮光膜并使其以及形成图案，从而形成遮光膜图案，然后，对在该遮光膜图案中所含的Cr实施Cr离子降低处理，由此可以使作为生长性异物产生的主要原因的Cr离子降低，能够抑制生长性异物的产生。

主权项

一种光掩模的制造方法，是对在透光性基板上形成的以Cr为主要成分的薄膜形成图案后而得到的光掩模的制造方法，其特征在于，包括下列工序：在所述薄膜上形成规定图案的工序；以及进行Cr离子降低处理工序，即：降低已形成所述图案的所述薄膜中所含的已离子化的Cr的量、或者抑制Cr的离子化，并且，所述Cr离子降低处理为，以波长200nm以下且强度30mW/cm2以上的光对所述薄膜进行照射的处理，或者，在150℃～500℃的温度下对所述薄膜加热1小时以上的处理。