| 发明名称 | 光电子器件、光电子半导体芯片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请涉及一种光电子半导体芯片(20)，在半导体芯片(20)的生长方向(c)上具有以下顺序的区域：用于有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1)；有源区(2)，其适合于产生电磁辐射，其中有源区基于六方结构的化合物半导体；以及用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3)。此外，本申请还涉及一种具有这种半导体芯片(20)的器件和一种用于制造这种半导体芯片(20)的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101233622B | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN200680027451.8 | 申请日期 | 2006.07.28 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | 亚德里恩·阿夫拉梅斯库;福尔克尔·黑勒;卢茨·赫佩尔;马蒂亚斯·彼得;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;乌韦·施特劳斯 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李德山;李春晖 |
| 主权项 | 一种光电子半导体芯片，朝着半导体芯片(20)的生长方向(c)具有以下顺序的区域：‑用于有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1)，‑有源区(2)，其适合于产生电磁辐射，其中有源区基于六方结构的化合物半导体，以及‑用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3)，其中朝着生长方向(c)看，在p掺杂的阻挡层(1)之前设置有隧道接触(5)，并且隧道接触(5)具有高n掺杂的区域(5a)、高p掺杂的区域(5b)和在隧道接触(5)的这两个区域(5a，5b)之间的扩散势垒(14)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||