发明名称 |
在环境压力下制造用于太阳能电池的晶片的方法 |
摘要 |
通过锯割晶片并且施加一种N-型掺杂而由P-型掺杂的单晶或多晶硅锭来生产太阳能电池。这些晶片可以通过用一种含有或组成为碳酰氟的蚀刻气体在一个等离子体辅助过程中对它们进行蚀刻而处理。由此,使该表面变得粗燥以此降低了光反射的程度,或者将由磷掺杂而引起的玻璃状含磷氧化物涂层去除。碳酰氟同样非常适合于选择性地蚀刻氧化硅/硅复合物中的氧化硅。 |
申请公布号 |
CN102498581A |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201080041619.7 |
申请日期 |
2010.09.15 |
申请人 |
苏威氟有限公司 |
发明人 |
马尔塞洛·里瓦;埃琳娜·洛佩斯阿隆索;多里特·利纳施克;伊内斯·达尼;斯特凡·卡斯克尔 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
顾晋伟;王春伟 |
主权项 |
一种制造用于太阳能电池的晶片的方法,该方法包括用含有碳酰氟的蚀刻气体在等于或大于大气压的压力下对该晶片进行等离子体辅助蚀刻的步骤。 |
地址 |
德国汉诺威 |