增设电极修饰层的非晶硅薄膜电池及制作方法

摘要

本发明公开了一种增设电极修饰层的非晶硅薄膜电池及制作方法，所述薄膜电池包含透明衬底、前透明导电层、第一电极修饰层、第一窗口层、第二窗口层、本征非晶硅、n型非晶硅、第二电极修饰层、背电极铝膜；同时提供了该薄膜电池的制作方法，依次包括如下步骤：通明衬底层清洗、LPCVD沉积TCO层、PECVD连续真空镀膜(第一电极修饰层、第一窗口层和第二窗口层、本征非晶硅、n型非晶硅)、清洗、溅射电极修饰层和背电极铝层，本发明采用了非晶硅薄膜的pin结构，增设了阳极修饰层a-Ge:H和阴极修饰层ZAO，同时采用双层窗口层，提高了太阳光光谱在短波和长波区的吸收，降低了吸收损耗和串联电阻，提高了开路电压和填充因子；连续成膜的方法，工艺简单，可大幅度降低制造成本。

主权项

一种增设电极修饰层的非晶硅薄膜电池，其特征在于：是由透明衬底、前透明导电层TCO、第一电极修饰层a‑Ge:H、第一窗口层p+i:H、第二窗口层p+‑a‑SiC:H、本征非晶硅i‑a‑Si:H、n型非晶硅n+‑a‑Si:H、第二电极修饰层ZAO和背电极铝Al从下往上构成。