| 发明名称 | 一种三层复合离子注入阻挡层及其制备、去除方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种三层复合离子注入阻挡层，包括：三层复合结构SiO2/Ti/Ni；所述三层复合结构的最上层为Ni金属层，所述Ni金属层为离子注入阻挡层；所述三层复合结构中层为Ti金属层，用于增加Ni金属层与下层SiO2的黏附性；所述三层复合结构下层为SiO2牺牲层，置于底层衬底之上，用于将Ti/Ni金属层与衬底分隔开。本发明还公开了一种制备、去除上述三层复合离子注入阻挡层的方法。通过本发明提供的制备方法制备的三层复合离子注入阻挡层不仅能够实现对半导体材料高温注入Al工艺的阻挡要求，同时，SiO2牺牲层还能够有效减少注入半导体表面的损伤。去除上述三层复合离子注入阻挡层的方法简单有效，解决了半导体衬底上Ti/Ni金属去除中的金属残留问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102496559A | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN201110379705.5 | 申请日期 | 2011.11.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李博;申华军;白云;汤益丹;刘焕明;周静涛;杨成樾;刘新宇 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
| 主权项 | 一种三层复合离子注入阻挡层，其特征在于，包括：三层复合结构SiO2/Ti/Ni；所述三层复合结构的最上层为Ni金属层，所述Ni金属层为离子注入阻挡层；所述三层复合结构中层为Ti金属层，用于增加Ni金属层与下层的黏附性；所述三层复合结构下层为SiO2牺牲层，置于底层衬底之上，用于将Ti/Ni金属层与衬底分隔开。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||