发明名称 |
一种氧化钛与氧化铝复合陶瓷绝缘结构及其制备方法 |
摘要 |
一种氧化钛与氧化铝复合陶瓷绝缘结构及其制备方法,该绝缘结构包括氧化铝陶瓷基体,通过共烧技术在其两端联结有复合陶瓷层,该复合陶瓷层由掺有质量分数为0.5~20%氧化钛的氧化铝基复合陶瓷制成;其制备方法是:(1)将质量分数为0.5~20%的氧化钛和80~99.5%的Al2O3瓷粉混合球磨、干燥制备掺氧化钛的氧化铝基粉料;(2)在石墨模具中依次加入粉料、Al2O3陶瓷粉和粉料,并分别压实,制得生坯;(3)通过真空热压烧结得到氧化钛与氧化铝复合陶瓷绝缘结构;(4)将烧制的绝缘结构进行热处理,得到变介电常数或电阻率的绝缘结构;本发明制备的绝缘结构其介电常数有明显的变化,能够显著的改善真空沿面闪络性能。 |
申请公布号 |
CN102496429A |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201110359868.7 |
申请日期 |
2011.11.15 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
李盛涛;何良;张拓 |
分类号 |
H01B17/60(2006.01)I;H01B19/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01B17/60(2006.01)I |
代理机构 |
西安智大知识产权代理事务所 61215 |
代理人 |
弋才富 |
主权项 |
一种氧化钛与氧化铝复合陶瓷绝缘结构,包括氧化铝陶瓷基体,其特征在于:通过共烧技术在氧化铝陶瓷基体两端联结有复合陶瓷层,该复合陶瓷层由掺有质量分数占总质量0.5~20%氧化钛的氧化铝基复合陶瓷制成。 |
地址 |
710049 陕西省西安市咸宁路28号 |