发明名称 一种碳化硅粉体及其制备方法
摘要 本发明具体涉及一种碳化硅粉体及其制备方法。其技术方案是:先以5~20wt%的纳米二氧化硅或硅微粉、0.5~2.5wt%的炭黑或土状石墨粉、70~88wt%的碱金属氯化物和5~15wt%的铝粉为原料,混合均匀;再将混合均匀的原料置入管式电炉内,在氩气气氛下以4~10℃/min的升温速率升至800~1000℃,保温2~10小时;然后将所得产物放入浓度为2~5mol/L的硝酸中浸泡3~8小时,过滤,去离子水清洗至清洗液pH值为7.0,110℃干燥8~24小时,即得碳化硅粉体。本发明具有反应温度低、工艺简单、合成过程可控和生产成本低等特点;所制备的碳化硅粉体结晶好,产物纯度高,无杂相,粉体粒径为50~200nm。
申请公布号 CN102491333A 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN201110404099.8 申请日期 2011.12.08
申请人 武汉科技大学 发明人 王周福;张少伟;刘浩;王玺堂;张保国
分类号 C01B31/36(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C01B31/36(2006.01)I
代理机构 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人 张火春
主权项 一种碳化硅粉体的制备方法,其特征在于先以5~20wt%的纳米二氧化硅或硅微粉、0.5~2.5wt%的炭黑或土状石墨粉、70~88wt%的碱金属氯化物和5~15wt%的铝粉为原料,混合均匀;再将混合均匀的原料置于管式电炉内,在氩气气氛下以4~10℃/min的升温速率升至800~1000℃,保温2~10小时;然后将所得产物放入浓度为2~5mol/L的硝酸中浸泡3~8小时,过滤,用去离子水清洗至清洗液的pH值为7.0,最后在110℃条件下干燥8~24小时,即得碳化硅粉体。
地址 430081 湖北省武汉市青山区建设一路