主权项 |
一种特定电容器容量和品质的测量方法,其特征在于:把半导体薄膜材料做成一个特定电容器,并设定一个可测量参数η为电容差值率,所述电容差值率定义为电容真实值Cs和电容测试值Cp的差值与其平均值之比,通过测量特定电容器的电容测试值Cp、电导值Gp和测试频率ω,计算电容差值率η、电容真实值Cs、串联电阻Rs、高频损耗tgδ或对应损耗角δ,计算公式为: <mrow> <mi>η</mi> <mo>=</mo> <mfrac> <msubsup> <mrow> <mn>2</mn> <mi>G</mi> </mrow> <mi>P</mi> <mn>2</mn> </msubsup> <mrow> <msubsup> <mi>G</mi> <mi>P</mi> <mn>2</mn> </msubsup> <mo>+</mo> <msup> <mrow> <mn>2</mn> <mi>ω</mi> </mrow> <mn>2</mn> </msup> <msubsup> <mi>C</mi> <mi>P</mi> <mn>2</mn> </msubsup> </mrow> </mfrac> <mo>,</mo> </mrow> <mrow> <msub> <mi>C</mi> <mi>S</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <mn>2</mn> <mo>+</mo> <mi>η</mi> </mrow> <mrow> <mn>2</mn> <mo>-</mo> <mi>η</mi> </mrow> </mfrac> <mo>·</mo> <msub> <mi>C</mi> <mi>P</mi> </msub> <mo>,</mo> </mrow> <mrow> <msub> <mi>R</mi> <mi>S</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <mn>2</mn> <mi>η</mi> </mrow> <mrow> <mn>2</mn> <mo>+</mo> <mi>η</mi> </mrow> </mfrac> <mo>·</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <msub> <mi>G</mi> <mi>P</mi> </msub> </mfrac> <mo>,</mo> </mrow> <mrow> <mi>tgδ</mi> <mo>=</mo> <mi>ω</mi> <msub> <mi>R</mi> <mi>S</mi> </msub> <msub> <mi>C</mi> <mi>S</mi> </msub> <mo>=</mo> <msqrt> <mfrac> <mrow> <mn>2</mn> <mi>η</mi> </mrow> <mrow> <mn>2</mn> <mo>-</mo> <mi>η</mi> </mrow> </mfrac> </msqrt> <mo>,</mo> </mrow> <mrow> <mi>δ</mi> <mo>=</mo> <mi>arctg</mi> <msqrt> <mfrac> <mrow> <mn>2</mn> <mi>η</mi> </mrow> <mrow> <mn>2</mn> <mo>-</mo> <mi>η</mi> </mrow> </mfrac> </msqrt> <mo>.</mo> </mrow> |